Intel a Micron dnes představili 3D Xpoint, novou třídu pamětí, kterou společnosti označují jako „hlavní průlom v oblasti paměťových technologií.“ 3D Xpoint je až 1000krát rychlejší a odolnější, než NAND Flash uložiště, která jsou momentálně používána ve všech mobilních zařízeních a solid state discích. Navíc se jedná o první paměťový čip, který přichází na trh po 25 letech.
Intel a Micron tvrdí, že 3D Xpoint je sestrojen tak, aby nabídl vysoce výkonné uložiště s vysokou kapacitou, ale nízkou spotřebou a cenou. Kromě toho, že je nová technologie mnohem rychlejší, než NAND Flash, je ještě 10x hustší, než DRAM čipy použité v počítačích, což znamená, že data budou mnohem blíže k procesoru a přístup k datům bude rychlejší.
Chytré telefony využívající 3D Xpoint by mohly být potenciálně až několikrát výkonnější, než telefony využívající současné technologie. Navíc by nová technologie mohla nahradit i DRAM paměti, jelikož dosahuje podobných rychlostí, což by samozřejmě ve výsledku znamenalo, že by se velikosti operačních zásadně zvětšily. Současná kapacita 3D Xpoint modulů je 128 gigabitů (16GB), ale budoucí generace by mohla rychle nabídnout mnohem vyšší kapacity díky zvýšení počtu paměťových vrstev.
